Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера

Б. Л. Гельмонт, Г. Г. Зегря


Аннотация: Получена аналитическая зависимость плотности тока инжекции от температуры для полупроводникового лазера вблизи порога генерации. Показано, что отношение квазиуровня Ферми электронов $F_{c}$ к температуре $T$ на пороге инверсии, а также на пороге генерации есть величина постоянная. Эта константа определяется только свойствами полупроводника.