Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы

Б. И. Каплан, В. К. Малютенко, А. И. Щедрин


Аннотация: Теоретически изучено влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на возбуждение винтовой неустойчивости электронно-дырочной плазмы в полупроводнике. Обнаружено, что порог возбуждения неустойчивости имеет минимум при определенной величине этого градиента. Экспериментальные исследования, проведенные на пластинках собственного $n$-Ge с однородным и неоднородным распределением электрического поля в условиях освещения боковой грани сильнопоглощаемым излучением, показали, что в зависимости от степени освещенности и начального градиента концентрации носителей заряда в образцах могут наблюдаться как увеличение, так и уменьшение винтовых осцилляций потенциала.