Стабилизация ориентации ян-теллеровских искажений акцептора Au$^{0}_{\text{Ga}}$ в GaAs при низких температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации

Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников


Аннотация: Исследованы и проанализированы особенности поведения полосы фотолюминесценции тетрагонального ян-теллеровского акцептора Аu$^{0}_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлениях вдоль оси [001] в диапазоне температур ${\sim2\div77}$ K. Показано, что при не слишком высоких давлениях и температурах до ${\sim25}$ K ориентация центра в равновесных условиях «заморожена» и может изменяться только благодаря рекомбинационно-стимулированному процессу. При более высоких температурах становится возможной термоактивационная переориентация центров в нейтральном состоянии. Величина постоянной времени этой переориентации при температуре ${\sim35}$ K и давлениях ниже ${\sim1}$ кбар составляет ${10^{-5}\div2\cdot10^{-4}}$ с. Значение константы деформационного потенциала Аu$^{0}_{\text{Ga}}$ $B_{T}$ лежит в интервале $-(3\div4)$ эВ, высота потенциального барьера между состояниями центра с различными ориентациями при нулевом и малых давлениях равна (${35\pm7}$) мэВ и уменьшается при росте давления до ${\sim9}$ кбар. Определена зависимость параметра выстраивания центров при рекомбинационно-стимулированной переориентации от величины давления.