RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 11, страницы 1960–1966 (Mi phts4503)

Фотолюминесценция антимонида галлия, легированного марганцем

Е. И. Георгицэ, Л. М. Гуцуляк, В. И. Иванов-Омский, В. А. Смирнов, Ш. У. Юлдашев


Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства антимонида галлия, легированного марганцем в магнитных полях до 6 Т, в широком интервале концентраций марганца (${0.005\div1}$ ат%) при температурах 2 и 4.2 K.
На основе анализа температурной зависимости коэффициента Холла и наблюдаемых полос ФЛ показано, что марганец в антимониде галлия является акцептором с глубиной залегания 18 мэВ и заменяет, скорее всего, вакансии галлия в основной матрице.
Проведена идентификация наблюдаемых излучательных полос. Обнаружен вклад в излучательную рекомбинацию электронов основного ($\Gamma_{6}$) и побочного (L) минимумов зоны проводимости.



© МИАН, 2026