Определение профиля концентрации марганца и никеля, имплантированных в кремнии

М. К. Бахадырханов, М. С. Миркамилова, В. А. Шустров


Аннотация: Установлена связь коэффициента ионно-электронной эмиссии $\gamma$ с концентрацией примеси, имплантированной в кремний. Опыты приведены с примесью Мn и Ni в КДБ. Имплантацию с дозами в интервале ${5\cdot10^{16}{-}1.2\cdot10^{17}}$ см$^{-2}$ осуществляли с энергией 40 кэВ. Показано, что кривая зависимости коэффициента $\gamma$ от глубины «работающего на эмиссию» слоя имеет два максимума. Ближний к поверхности максимум авторы связывают с максимумом линдхардовского распределения примеси, более глубокий максимум связан с максимумом каналированной при имплантации примеси.