Влияние отжига в парах собственных компонентов на поглощение света в области урбаховского края CdSe

Б. М. Булах, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, Н. Р. Кулиш, М. П. Лисица, Н. И. Малыш, С. О. Сергеев, М. К. Шейнкман


Аннотация: Методами линейной и нелинейной оптики исследовано влияние нарушения стехиометрии на урбаховский участок краевого поглощения CdSe. Установлено, что с ростом концентрации мелких акцепторов увеличивается размытие края линейного поглощения, растет порог просветления и происходит изменение коэффициента поглощения при переходе от низких интенсивностей излучения к высоким. Из сравнения глубины залегания мелких акцепторных уровней, найденной из температурной зависимости порога просветления и определенной по спектрам люминесценции и фотопроводимости, найдено, что просветление связано с перезарядкой акцепторов с глубиной залегания уровней ${\sim0.1}$ эВ. Эти акцепторы входят в состав комплексных центров свечения, обусловливающих полосы люминесценции с максимумами при ${h\nu^{}_{m}=1.73}$ и 1.2 эВ.