О механизме фотопроводимости кристаллов магнитного полупроводника CdCr$_{2}$Se$_{4}$

Л. Л. Голик, З. Э. Кунькова


Аннотация: Представлены расчеты температурных зависимостей фотопроводимости кристаллов магнитного полупроводника CdCr$_{2}$Se$_{4}$, выполненные на основе трехцентровой модели компенсированного полупроводника с учетом зависимости глубины залегания одного из центров, расположенного в верхней части запрещенной зоны, от степени магнитного упорядочения материала. Модель хорошо описывает основные особенности экспериментальных зависимостей фотопроводимости кристаллов CdCr$_{2}$Se$_{4}\langle\text{Ga}\rangle$.