Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе $\delta$-легированных структур

В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, С. П. Тарнавский, А. В. Федоренко


Аннотация: С помощью малосигнальных измерений характеристик полевых транзисторов (ПТШ) на $\delta$-легированных структурах арсенида галлия обнаружено существенное уменьшение крутизны при частотах менее 10$^{4}$ Гц. Показано, что причиной дисперсии является наличие глубоких уровней в приповерхностном слое толщиной до ${\sim150}$ Å. Установлено, что заполнение ловушек связано с туннельно-активационным характером тока через барьер Шоттки. Представленные результаты позволяют объяснить расхождение в экспериментальных и расчетных значениях крутизны $\delta$-ПТШ.