О некоторых механизмах влияния тепловой предыстории на поведение параметров кремния под облучением

В. Б. Неймаш, Т. Р. Саган, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич


Аннотация: Методами оптической и емкостной спектроскопии, нестационарной фотопроводимости, эффекта Холла и электронно-растровой микроскопии исследовано влияние предварительных термообработок (ТО) в диапазоне 400$-$1200$^{\circ}$C на поведение параметров монокристаллического Si при последующем $\gamma$-, электронном и нейтронном облучении. На основе анализа полученных экспериментальных результатов предложены пять основных механизмов влияния тепловой предыстории Si на поведение его свойств под ионизирующим облучением: 1)  распад твердых растворов примесей, эффективно взаимодействующих с радиационными дефектами (РД); 2)  образование электрически активных термодефектов (ТД) в концентрациях, достаточных для существенного изменения зарядового состояния РД; 3)  возникновение ТД, способных эффективно взаимодействовать с РД; 4)  изменение эффективности внутреннего геттерирования РД вследствие перераспределения примесей при ТО; 5)  формирование скоплений электрически активных ТД, приводящих к нарушению электрической однородности кристалла Si.