Возникновение туннельного тока в структурах металл$-$полупроводник после воздействия лазерного излучения

К. К. Джаманбалин, А. Г. Дмитриев, В. В. Евстропов, М. И. Шульга


Аннотация: Изучено изменение прямой ветви ВАХ структур GaAs$-$Ni после воздействия на них лазерного излучения различной интенсивности.
Обнаружено появление избыточного тока по сравнению с током в исходных структурах, величина которого зависела от интенсивности облучения. Показано, что избыточный ток обусловлен многоступенчатым туннелированием сквозь широкий слой объемного заряда.