Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла$-$фосфид галлия

А. И. Малик, Г. Г. Грушка


Аннотация: Представлены результаты исследования гетеропереходов, образованных тонкой пленкой высоколегированного широко зонного полупроводникового соединения SnO$_{2}$ или In$_{2}$O$_{3}$ с фосфидом галлия. По результатам исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик определены значения высоты потенциального барьера и коэффициента идеальности. Значение высоты барьера находится в согласии с величиной, определенной из фотоэмиссионных характеристик по методу Фаулера. Расчет оптических характеристик гетеропереходов подтверждает экспериментально полученное значение внешней квантовой эффективности, близкое по величине к 100 %. Фотоэлектрические и электрофизические параметры исследованных гетерофотодиодов представлены в сравнении с коммерческими фотодиодами фирмы «Hamamatsu».