Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния

Чунь Гэн, В. Ю. Казначеев, А. Э. Юнович


Аннотация: Исследована фотолюминесценция аморфных сверхрешеток $a$-Si : H/$a$-SiN$_{x}$ : H ($x=0.3$). Показано, что с уменьшением толщины слоя Si сдвигается вверх по энергии не только линия, обусловленная переходами между «хвостами» плотности состояний, но и линия, обусловленная переходами глубокий уровень$-$хвост валентной зоны. Это явление связывается с квантово-размерным эффектом. Примесь азота влияет на положение линий фотолюминесценции в случае толстых слоев $a$-Si : Н.