RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 9, страницы 1667–1670 (Mi phts4451)

Краткие сообщения

Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия

В. А. Гергель, А. И. Лукьянченко, А. Н. Соляков, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий




© МИАН, 2026