RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 9, страницы 1629–1633 (Mi phts4440)

Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS

И. А. Дроздова, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, Е. П. Шульга, М. К. Шейнкман


Аннотация: Показано, что структура, ответственная за аномальную температурную зависимость проводимости на грани (0001) кристаллов CdS, отсутствует на свежесколотой поверхности и образуется в процессе выдерживания сколотого кристалла как на воздухе, так и в атмосфере инертного газа. Процесс образования структуры является термоактивируемым. Образование структуры начинается, по-видимому, с появления отдельных островков, которые постепенно разрастаются вширь и вглубь и затем перекрываются, образуя сплошной слой.



© МИАН, 2026