Фотоэлектрические свойства пленок $a$-Si : H и структур на их основе в УФ области спектра

Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, М. Е. Кумеков, Е. И. Теруков, И. В. Шведков


Аннотация: Проведены исследования фоточувствительности фотодатчиков (диодов Шоттки) $n{-}i$-Pd на основе \hbox{$a$-Si : H} и его сплавов, а также фотопроводимости структур Al${-}a$-Si : H$-$Al в широком спектре энергий фотонов ($1.5 \leqslant h\nu \leqslant 6.3$ эВ) при $T=300$ K. Показана возможность сдвига красной границы спектра фоточувствительности в зависимости от толщины и состава $i$-слоя. Исследования квантовой эффективности внутреннего фотоэффекта с учетом измеренных коэффициентов поглощения и отражения позволяют утверждать, что в $a$-Si : H в УФ диапазоне спектра имеет место процесс ударной ионизации носителей заряда и он носит явно выраженный пороговый характер при энергиях $\varepsilon_{i}=3.6$ эВ.