Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии: распад донорно-акцепторных пар

К. А. Адилов


Аннотация: Рассмотрены процессы фотохимической перестройки глубоких примесных центров ГПЦ в $p$-Si, легированном Te, Zn и Fe, протекающие при 300$-$350 K под действием облучения «сверхнизкоэнергетическим» светом из области примесного поглощения с энергией $\Delta E\leqslant 0.75$ эВ и интенсивностью $I=10^{14}{-}10^{17}$ квант/см$^{2}\cdot$ с. Установлено, что длительное облучение (доза $D\geqslant 3\cdot 10^{19}$ квант/см$^{2}$) приводит к распаду донорно-акцепторных пар TeB$^{0}$, ZnB$^{0}$ и FeB$^{0}$ с последующим образованием новых ГПЦ. Это проявляется в изменении спектров нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции. Полученные результаты объясняются на основе механизма рекомбинационно-стимулированной диффузии.