RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 10, страницы 1897–1900 (Mi phts436)

Краткие сообщения

Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров

Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков




© МИАН, 2026