Люминесценция имплантированных слоев Cd$_{0.38}$Hg$_{0.62}$Te и диодных структур на их основе

С. В. Белотелов, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов


Аннотация: Исследованы люминесцентные свойства диодов, полученных ионной имплантацией B в $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с $x=0.38$. Проведен сравнительный анализ спектров люминесценции при инжекционном и фотовозбуждении. Установлено, что образующаяся при имплантации область пониженной концентрации некомпенсированных акцепторов существенным образом сказывается на процессах излучательной рекомбинации неравновесных носителей.