Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации

О. В. Вакуленко, В. Н. Супруненко, В. Д. Рыжиков


Аннотация: Теоретически исследована температурная зависимость интенсивности люминесценции $I_{\text{л}}$ в полупроводниках с амфотерными примесями при различных значениях подсветки $G$, эффективности электронно-дырочной рекомбинации $\Gamma$ и отношения коэффициентов вероятностей захвата электронов и дырок на нейтральный центр $(C_{n0}/C_{p0})$.
При $C_{p0} \gg C_{n0}$ с увеличением $G$ максимум интенсивности люминесценции $I_{\text{max}}$ смещается в высокотемпературную область, а при увеличении $\Gamma$ — в низкотемпературную. Если $C_{p0}=C_{n0}$, то положение $I_{\text{max}}$ не зависит от $G$.
Получена немонотонная зависимость $I_{\text{л}}(T)$ для рекомбинации «зона проводимости$-$акцептор». Качественно эти результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными, например, на соединениях CdS(Te) и ZbS : Co.
Анализ модельной экспериментальной зависимости $I_{\text{л}}(T)$ показывает, что достаточно точные значения глубины залегания акцепторного уровня можно получить только при определенных условиях эксперимента.