Исследование квантовых ям $C{-}V$-методом

В. Я. Алешкин, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, А. В. Мурель, Ю. А. Романов


Аннотация: Предложен метод нахождения параметров квантовой ямы (КЯ) в гетероструктуре из ее вольт-фарадных характеристик. Показано, что этим способом можно определять расстояние от КЯ до поверхности полупроводника, поверхностные концентрации основных носителей и легирующей примеси в КЯ, глубину залегания двумерной подзоны, получить оценки «хвостов» плотности состояний в ней. Приводятся результаты экспериментального исследования структур GaAs$-$In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs.