Фотопроводимость в пленках PbS при возбуждении пикосекундными импульсами света

Р. Томашюнас, М. Пятраускас, Ю. Вайткус, Я. Синюс, Р. Гашка, А. Власкин


Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования фотопроводимости в химически осажденных поликристаллических пленках PbS. Сделаны теоретические оценки полученных результатов. Определено влияние степени термоотжига пленок на рекомбинацию носителей заряда, а также на их подвижность. Получено, что в сильновозбужденных пленках PbS доминирующим механизмом рекомбинации носителей заряда является межзонная ударная рекомбинация в объеме кристаллитов с коэффициентом $\gamma_{A}\approx 5.3\cdot 10^{-29}$ см$^{6}$/с.