Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов

Н. С. Рытова


Аннотация: Для разных областей плоскости $(x,~t)$ получены приближенные решения системы уравнений, описывающей диффузию атомарного водорода в глубь кристалла, одновременное его связывание в комплексы с примесными атомами (их пассивацию) и рекомбинацию в молекулы. Показано, что сильное различие во временах установления равновесия для реакций связывания водорода в комплексы и в молекулы приводит к тому, что при низких температурах даже для больших концентраций примеси существует практически важный диапазон времен диффузии, для которых глубина пассивации определяется процессом образования молекул. Из сопоставления экспериментальных данных с полученным выражением для глубины пассивации определен коэффициент диффузии водорода в GaAs при $250^{\circ}$C, равный $D = 10{-}12$ см$^{2}/$с.