Аннотация:
Изучены электрофизические свойства полупроводниковых
твердых растворов Cd$_{1-x}$Mg$_{x}$Te,
выращенных методом Бриджмена, в зависимости
от состава ($0\leqslant x \leqslant 0.3$). Исследуемые образцы
были р-типа проводимости. При
${0\leqslant x \leqslant 0.1}$
концентрация дырок практически не изменялась и
соответствовала $(3\div 5)\cdot 10^{15}$ см$^{-3}$.
Дальнейшее увеличение количества Mg $(x>0.1)$ приводило к
переходу кристаллов в полуизолирующее состояние
$[p=(2\div 6)\cdot 10^{7}$ см$^{-3}$].
Предполагается, что
такой переход обусловлен компенсирующим
действием неконтролируемых примесей и
одновременным уменьшением концентрации вакансий кадмия. Показано, что в исследуемых твердых растворах подвижность
в значительной мере
определяется рассеянием на флуктуациях состава.