Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм)

Д. 3. Гарбузов, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин


Аннотация: В настоящей работе выполнены теоретические и экспериментальные исследования ватт-амперных характеристик InGaAsP/InP-лазеров раздельного ограничения с длиной волны 1.3 мкм. Детально исследованы причины аномального падения дифференциальной квантовой эффективности при уменьшении длины резонатора лазерного диода и сублинейности ватт-амперных характеристик при больших плотностях тока. Показано, что поглощение на свободных носителях дает относительно небольшой вклад в наблюдаемое падение эффективности излучения. Развита теоретическая модель, объясняющая падение дифференциальной эффективности возрастанием концентрации неравновесных носителей в волноводе за порогом генерации и ростом утечки носителей в $p$-эмиттер. Модель удовлетворительно согласуется с экспериментом.