Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия

В. П. Калинушкин, В. А. Юрьев, Д. И. Мурин


Аннотация: Изложены результаты дефектоскопического исследования крупномасштабных примесных скоплений в монокристаллах InP, выполненного методом малоуглового рассеяния света среднего ИК диапазона (${\lambda_{0}=10.6}$ мкм), приведены оценки основных параметров скоплений (их размеров и концентрации свободных носителей в их объеме) и энергии активации образующих их точечных центров. Предлагается модель скоплений, согласно которой они представляют собой сферические области кристалла, обогащенные микровключениями индия и дефектом InP.