Температурная зависимость вольт-амперных характеристик контактов Pd$-$GaAs, подвергнутых лазерному отжигу

В. П. Воронков, А. П. Вяткин, С. М. Кулешов, С. Ю. Муленков


Аннотация: Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик контактов Pd$-$GaAs, подвергнутых импульсному лазерному отжигу. Отжиг осуществлялся лазерным излучением с длиной волны 1.06 мкм и длительностью $10^{-3}$ с в диапазоне энергий $20\div 60$ Дж/см$^{2}$.
Действие импульсного лазерного отжига приводило к плавному переходу от термоэмиссионного механизма переноса носителей заряда через барьер к термополевому. Увеличение туннельной составляющей прямого тока и понижение эффективной высоты барьера вызваны появлением тонкого высоколегированного слоя GaAs на границе раздела в результате лазерного отжига.