Квантовый перенос в $\delta$-легированных слоях GaAs

Г. М. Гусев, З. Д. Квон, Д. И. Лубышев, В. П. Мигаль, А. Г. Погосов


Аннотация: Исследованы транспортные свойства $\delta$-легированных слоев GaAs в широком диапазоне концентраций электронов. Из анализа осцилляций Шубникова–де-Гааза найдены заселенности подзон размерного квантования, которые согласуются с численным расчетом зонного спектра.
Анализ ОМС показал, что время релаксации фазы волновой функции электронов определяется для большинства образцов неупругими электронными столкновениями с малой передачей энергии. Исключение составляют образцы с большой концентрацией, для которых наблюдается аномальная зависимость $\tau_{\varphi}$ от температуры.
Исследовано продольное ОМС в этих структурах на основе теории, развитой для случая размерно-квантованных систем, анализ которого позволил оценить характерную величину размытия $\delta$-слоев.
Впервые исследованы эффекты разогрева электронов в $\delta$-слое тянущим электрическим полем. Сделан вывод о том, что релаксация электронов по энергии происходит за счет рассеяния на пьезоакустических фононах.