Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As : Sb

Д. Т. Гоголадзе, Л. М. Долгинов, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, В. М. Новикова, Е. В. Соловьева, Г. В. Шепекина


Аннотация: Введение изовалентной примеси — сурьмы в нелегированные эпитаксиальные слои In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, полученные жидкофазной эпитаксией из расплавов, содержащих геттерирующую примесь редкоземельного элемента (гадолиния), приводит к инверсии типа проводимости эпитаксиальных слоев (${p\to n}$). Увеличение концентрации сурьмы в слоях выше ${\sim10^{18}}$ см$^{-3}$ приводит к возрастанию концентрации электрически активных центров донорного типа. При этом рассеяние электронов на флуктуациях решеточного потенциала приобретает резонансный характер, что может быть обусловлено изменением пространственного расположения основных и примесных атомов в твердом растворе.