Физика и техника полупроводников,
1991, том 25, выпуск 3,страницы 390–393(Mi phts4218)
Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов
CdS : Li
А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, А. В. Буреев, А. Д. Левит
Аннотация:
Исследовано влияние низкотемпературного отжига (400$-$600 K)
на люминесцентные свойства и дефектную структуру монокристаллов CdS,
легированных литием (${10^{18}\div10^{19}}$ см$^{-3}$). Отжиг приводит
к перераспределению интенсивностей люминесценции связанных экситонов
и краевой люминесценции, а также к разгоранию ряда новых полос — 2.29
и 2.04 эВ. Влияние обусловлено как распадом ассоциативных центров,
так и процессами выхода лития из узла в междоузлие с образованием
вакансий кадмия. Определены энергия этого перехода (0.36 эВ) и энергия
взаимодействия дефектов в комплексе [Li$_{\text{Сd}}$Li$_{i}$] (0.11 эВ).