RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 3, страницы 390–393 (Mi phts4218)

Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов CdS : Li

А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, А. В. Буреев, А. Д. Левит


Аннотация: Исследовано влияние низкотемпературного отжига (400$-$600 K) на люминесцентные свойства и дефектную структуру монокристаллов CdS, легированных литием (${10^{18}\div10^{19}}$ см$^{-3}$). Отжиг приводит к перераспределению интенсивностей люминесценции связанных экситонов и краевой люминесценции, а также к разгоранию ряда новых полос — 2.29 и 2.04 эВ. Влияние обусловлено как распадом ассоциативных центров, так и процессами выхода лития из узла в междоузлие с образованием вакансий кадмия. Определены энергия этого перехода (0.36 эВ) и энергия взаимодействия дефектов в комплексе [Li$_{\text{Сd}}$Li$_{i}$] (0.11 эВ).



© МИАН, 2026