RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 2, страницы 338–342 (Mi phts4204)

Краткие сообщения

Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga$-$Bi

П. Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С. Г. Конников, В. Г. Никитин, М. И. Папенцев, М. М. Соболев




© МИАН, 2026