RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1991
, том 25,
выпуск 2,
страницы
338–342
(Mi phts4204)
Краткие сообщения
Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga
$-$
Bi
П. Н. Брунков
, С. Гайбуллаев
,
С. Г. Конников
, В. Г. Никитин
, М. И. Папенцев
, М. М. Соболев
Полный текст:
PDF файл (662 kB)
©
МИАН
, 2026