Ударная ионизация в антимониде индия

В. А. Авраменко, М. В. Стриха


Аннотация: В трехзонной модели Кейна рассчитаны энергетические зависимости вероятностей ионизации зона–зона и зона–примесь для различных типов симметрии глубоких примесных центров. Вычислены полевые зависимости коэффициентов ударной ионизации в сильном электрическом поле в антимониде индия, при этом получено хорошее соответствие с имеющимися экспериментальными данными. Показано, что вероятность ударной ионизации глубокого уровня структурных дефектов дырками в InSb $p$-типа намного превосходит вероятность ионизации этого же уровня электронами в InSb $n$-типа ввиду одинаковой симметрии состояний на $h$-центре и в валентной зоне.