Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb

М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, М. П. Михайлова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич


Аннотация: Исследована люминесценция гетероструктуры $p$-InAs/$P$-InAs$_{0.63}$P$_{0.25}$Sb$_{0.12}$. В спектрах люминесценции обнаружена новая линия, лежащая между объемными линиями узкозонного и широкозонного материалов. Характерной особенностью этой линии является смещение ее в коротковолновую область при увеличении уровня возбуждения. В результате подробного теоретического анализа и сопоставления теории с экспериментом данная линия интерпретирована как результат рекомбинации дырок, находящихся на акцепторах обогащенного слоя, и фотоэлектронов, локализованных в области обеднения вследствие надбарьерного отражения от гетерограницы.