RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 2, страницы 295–297 (Mi phts4195)

Получение тонких пленок CdS лазерным распылением

Г. А. Варданян, Р. И. Багдасарян, П. Г. Петросян, Л. Н. Григорян


Аннотация: Методом лазерного распыления получены поликристаллические пленки CdS на сапфировых подложках. Показана возможность увеличения размера зерен в пленках до 6$-$8 мкм в зависимости от технологического режима осаждения. Установлено, что фоточувствительностью пленок CdS можно управлять остаточным давлением кислорода в процессе испарения.



© МИАН, 2026