Особенности отрицательного магнитосопротивления при проводимости по верхней зоне Хаббарда в $p$-Si$\langle\text{B}\rangle$

Ф. М. Исмагилова, Л. Б. Литвак-Горская, Г. Я. Луговая, И. Е. Трофимов


Аннотация: Исследовано магнитосопротивление слабо компенсированного $p$-Si$\langle\text{B}\rangle$ с ${N_{a}\simeq6\cdot10^{16}\div2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ при ${H=0\div36}$ кЭ и ${T=4.2\div40}$ K в стационарных условиях (${T=20\div40}$ K) и при лазерном и фоновом фотовозбуждении дырок (${T=4.2}$ K) в верхнюю зону Хаббарда (ВЗХ). Показано, что появление отрицательного магнитосопротивления (ОМС) связано только с проводимостью по ВЗХ, причем ОМС объясняется в рамках теории квантовых поправок к проводимости за счет слабой локализации дырок. Найденное время сбоя фазы волновой функции $\tau_{\varphi}$ близко к $\tau_{\text{ph}}$ — времени релаксации импульса дырки при рассеянии на акустических фононах.