Аннотация:
Синтезированы высокоомные монокристаллнческпе образцы
Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$Te(Ga) (${x\lesssim0.05}$). Исследование температурных
зависимостей удельного сопротивления у показало, что нетолько
ширина запрещенной зоны $\varepsilon_{g}$, но и энергия активации примесной
проводимости $\varepsilon_{A}$ в Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$Te(Ga) возрастают
с ростом $x$ и в кристаллах с ${C_{\text{Mn}}\simeq2.5}$ ат% достигают
${\varepsilon_{A}=250}$ и ${\varepsilon_{g}\simeq370}$ мэВ. При этом максимум
в спектрах фотопроводимости (ФП сдвигается в область более коротких волн.
Задержанная ФП наблюдается в области температур ${T\lesssim70}$ K.
С ростом содержания Mn в кристаллах процессы релаксации к равновесному
состоянию после выключения непрерывной подсветки при низких температурах
ускоряются.