RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 2, страницы 191–196 (Mi phts4177)

Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении

В. В. Емцев, Т. В. Машовец, Д. С. Полоскин


Аннотация: Описаны опыты по изучению радиационного дефектообразования в особо чистом германии $p$-типа при низкотемпературном (4.2 K) $\gamma$-облучении. Показано, что в очень малых концентрациях возникают дефекты [сечение их образования (${2\div4)\cdot10^{-29}\,\text{см}^{2}}$], отжигающиеся при 35$-$45 K, которые могут быть сопоставлены с близкими парами Френкеля. Дано объяснение малости величины сечения образования пар Френкеля в $p$-Ge. Наблюдались также дефекты акцепторного типа, предположительно идентифицируемые как дивакансии, положение которых можно оценить как ${E_{v}+0.2}$ эВ.



© МИАН, 2026