Численный расчет энергетического спектра электронов в тонких и $\delta$-легированных слоях GaAs

З. Д. Квон, А. Г. Погосов


Аннотация: Предложен эффективный метод расчета энергетического спектра носителей заряда в тонких и \hbox{$\delta$-ле}гированных слоях полупроводников. Проведен численный расчет для $\delta$-слоев GaAs $n$-типа, который сравнивается с расчетами других авторов и с некоторыми экспериментальными данными. Показано, что форма потенциальной ямы вблизи $\delta$-слоя, полученная в приближении Томаса–Ферми, слабо отличается от найденной самосогласованным расчетом. Изучено влияние на спектр носителей заряда граничного электрического поля, вызванного закреплением уровня Ферми на поверхности GaAs.