Ионизационная реакция $p{-}n$-структур ИМС при больших интенсивностях ионизрующего излучения

С. П. Андреев, Е. Р. Аствацатурьян, А. В. Головин, Н. А. Кудряшов, С. С. Кучеренко, В. А. Полунин, А. В. Чичерюкин


Аннотация: Проведено аналитическое и численное изучение ионизационной реакции $p{-}n$-структур ИМС, облучаемых как слабым, так и мощным ионизирующим излучением (ИИ). Найден количественный критерий (в виде отношения концентрации генерированных ИИ неосновных носителей заряда к уровню легирования) области применимости теории ПИ слабых интенсивностей. Рассчитаны ВАХ полупроводниковой структуры, облучаемой мощным ИИ, и обнаружен эффект восстановления $p{-}n$-перехода при включении определенного отрицательного напряжения смещения.