Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия

Е. В. Винник, К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович


Аннотация: Изучено влияние облучения быстрыми нейтронами и последующих изохронных отжигов на фотолюминесценцию легированных атомами Zn, Te кристаллов $p$-GaAs. Показано, что указанные воздействия приводят (помимо изменения интенсивности краевой полосы излучения) к появлению примесных полос излучения с энергиями максимума $h\nu_{m}$ (77 K) вблизи 1.26, 1.38, 1.18, 1.30 и 1.25 эВ, обусловленных излучательными переходами электронов в созданных радиационным (радиационно-термическим) воздействием парах As$_{i}$Zn$_{\text{Ga}}$, $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$, $V_{\text{Ga}}$Te$_{\text{As}}$, Si$_{\text{As}}D$ и Si$_{\text{As}}(V_{\text{Ga}}V_{\text{As}})$ соответственно.