Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами

А. Ю. Бланк, Е. Н. Зиновьев, Л. П. Иванов, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий


Аннотация: Исследован новый механизм оже-процесса для экситонно-примесных комплексов (ЭПК) на нейтральных донорах в GaAs, индуцируемый акустическими фононами. Выполненные эксперименты и анализ симметрии основного и возбужденного состояний ЭПК на нейтральном доноре показывают, что вероятность оже-рекомбинации для возбужденного состояния ЭПК превосходит вероятность излучательной рекомбинации из основного состояния.