Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления на фотолюминесценцию центра

Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский


Аннотация: При температуре 2 K и одноосных давлениях ($P$) до 10 кбар в образцах $n$-GaAs : Te измерена индуцируемая этим давлением поляризация примесной фотолюминесценции (ФЛ) в широкой полосе с максимумом при энергии фотонов 1.18 эВ. Обнаружено, что при давлении вдоль различных осей кристалла ([001], [111], [110]) интегральное поляризационное отношение излучения всегда возрастает, однако с увеличением энергии фотонов в полосе излучения поляризационное отношение растет при $P\parallel [001]$, а при $P\parallel [111]$ падает. Поведение поляризации ФЛ объясняется в модели примесного центра моноклинной симметрии, для которого расщепления возбужденного состояния, вводимые внутренним понижением симметрии, сравнимы с расщеплениями из-за внешнего давления и существенную роль играют вибронные эффекты. Аппроксимацией экспериментальных зависимостей оценены величины параметров излучающего состояния центра (расщепление подуровней возбужденного состояния и его изменение при нулевых колебаниях комплекса, константы деформационного потенциала). Сопоставление этих величин с результатами анализа данных поляризационной спектроскопии [1] позволяет сузить диапазон возможных значений параметров электронного строения примесного центра, вызывающего исследованную ФЛ.