Аннотация:
Обнаружен и детально изучен сложный центр фото- и термо люминесценции
(${h\nu_{\max}= 1.61}$ эВ) в GaP-монокристаллах $n$-типа. Комплексное
исследование кинетических, спектральных, температурных, а также
поляризационных характеристик свечения позволило:
а) установить рекомбинационную схему электронных переходов,
объясняющую наблюдаемые особенности свечения; б) предложить модель
сложного центра люминесценции, представляющего собой комплекс
ассоциированных точечных дефектов вида глубокий акцептор–глубокая
изоэлектронная ловушка.