Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs$_{2}$

В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь


Аннотация: На ориентированных монокристаллах CdGeAs$_{2}$ с концентрацией дырок ${p=3\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ (${T=300}$ K) проведено исследование температурных зависимостей удельной электропроводности и коэффициента Холла в области температур 80$-$750 K. Экспериментально обнаружена и изучена анизотропия холловской подвижности носителей заряда. Показано, что в кристаллах CdGeAs$_{2}$ анизотропия подвижности дырок падает с ростом температуры и преобладает по сравнению с анизотропией подвижности электронов.