Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой

И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина


Аннотация: Исследованы пленарная фотопроводимость (ФП) и конденсаторная фотоэдс (КФЭ) в эпитаксиальных гетероструктурах GaAs/InGaAs с квантовой ямой, образованной прослойкой твердого раствора. Показано, что в спектрах ФП и КФЭ проявляется размерное квантование, и фоточувствительность, связанная с межзонным поглощением в квантовой яме, в некотором интервале температур экспоненциально зависит от температуры. Результаты интерпретированы в рамках барьерной модели фотопроводимости таких структур.