RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2167–2171 (Mi phts4116)

Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe

А. Дерингас, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, И. А. Мокина, Н. М. Шмидт


Аннотация: Создано электрооптическое устройство на основе фемтосекундного кольцевого струйного лазера с пикосекундным временны́м разрешением и исследована кинетика фотопроводимости в фоторезисторах из InP : Fe. Фотопроводимость возбуждалась фемтосекундными оптическими импульсами в фоторезисторах с различными контактами, удельным сопротивлением, методом изготовления. Установлено, что времена релаксации фотовозбужденной плазмы в фоторезисторах на основе InP : Fe с удельным сопротивлением ${\rho\sim10^{8}\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$ составляют $\sim20$, а для InP с максимальной концентрацией Fe — $\sim15$ пс.



© МИАН, 2026