RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2151–2154 (Mi phts4113)

Перестройка спектра излучения лазера на $p$-Ge при одноосной деформации

С. В. Демиховский, А. В. Муравьев, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин


Аннотация: Проведены спектральные исследования длинноволнового ИК лазера на горячих дырках Ge в $E\perpH$ полях при одноосной деформации активного элемента в направлении [110]. Обнаружены эффект непрерывной перестройки от 54 до 74 см$^{-1}$ и увеличение максимума спектральной интенсивности излучения лазера и его КПД в 1.5$-$2 раза. Авторы связывают наблюдаемые эффекты с уменьшением межподзонного примесного рассеяния и изменением спектров состояний дырок вблизи дна валентной зоны (включая примесные).



© МИАН, 2026