Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через полуизолирующую подложку

В. А. Гергель, Э. А. Ильичев, А. И. Лукьянченко, Э. А. Полторацкий, А. Н. Соляков


Аннотация: Предложен механизм управления транзистором через полуизолирующую подложку. В его основе лежит гипотеза об изменении типа проводимости компенсированного полупроводника под действием электрического поля на генерацию дырок и электронов с глубокого уровня в результате эффекта Френкеля$-$Пулла. С единых позиций объяснены основные эксперименты паразитного управления транзистором через полуизолирующую подложку: пороговые и беспороговые характеристики управления, связь эффекта управления с суперлинейным ростом тока в подложке, природа низкочастотной неустойчивости. Показано, что эффект управления в ИС на GaAs определяется главным образом степенью компенсации подложки.