RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 11, страницы 2034–2036 (Mi phts4085)

Краткие сообщения

Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в $n$-InP

Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, Е. А. Кудрявцева, В. А. Урсу, И. Н. Цыпленков, В. Н. Ламм, В. А. Шераухов




© МИАН, 2026