Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках $a$-Si : H

И. П. Звягин, И. А. Курова, Н. В. Мелешко, Н. Н. Ормонт


Аннотация: Исследованы зависимости стационарной фотопроводимости $\sigma_{s}$ в нелегированных пленка: $a$-Si : H от температуры и интенсивности освещения. Обсуждены механизмы образована и аннигиляции фотоиндуцированных оборванных связей, определяющие наблюдаемые особенности поведения $\sigma_{s}$.