О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике

Л. С. Берман, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко


Аннотация: Проведен теоретический анализ применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике. Показано, что применимость метода ограничивается выполнением двух условий.
а. Изменение барьерной емкости от низкочастотной до высокочастотной и изменение емкости диода от высокочастотной до геометрической емкости пластины происходят в разных температурных интервалах.
б. Температурные зависимости высокочастотной емкости и емкости области электрической нейтральности диода пренебрежимо малы по сравнению с температурной зависимостью сопротивления области электрической нейтральности. Проведен анализ экспериментальных данных, подтверждающий этот вывод.